RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
41
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
41
Prędkość odczytu, GB/s
14.5
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2513
2058
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Inmos + 256MB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link