RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2644
3516
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link