RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2802
3491
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link