RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
31
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
3626
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link