RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
81
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
81
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
1651
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link