RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
2972
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link