RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
2256
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link