RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2729
2193
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link