RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
4052
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link