RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2236
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link