RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2426
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link