RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3409
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link