RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
34
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3038
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link