RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3876
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link