RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
1858
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link