RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3419
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5471-011.A01LF 2GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link