RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2320
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link