RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2064
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link