RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2462
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link