RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3721
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link