RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3651
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link