RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
1908
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link