RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2831
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link