RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3409
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link