RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3332
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link