RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2417
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link