RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3395
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link