RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2653
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link