RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2154
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-445.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link