RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3286
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link