RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
42
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2701
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link