RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2988
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link