RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
42
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2181
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link