RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2768
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link