RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2816
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link