RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2229
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link