RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
32
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
2815
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link