RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
2382
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link