RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
15.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3580
2434
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link