RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Porównaj
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
64
Prędkość odczytu, GB/s
19.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3614
1845
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link