RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
3425
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link