RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    24 left arrow 14.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    20.0 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    24.0 left arrow 14.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    20.0 left arrow 10.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    4156 left arrow 2931

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Pamięć RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pamięć RAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Pamięć RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Pamięć RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Pamięć RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Pamięć RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Pamięć RAM