RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2978
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link