RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
49
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2080
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link