RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
58
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
58
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2591
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link