RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3905
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link