RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2310
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link