RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2656
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link