RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
63
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
63
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1863
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link