RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3090
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link